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华半 MOSFET " (401010 )
本资料详细介绍了SiC MOSFET 的特性、电气特性、热特性、动态特性、反向二极管特性、典型性能、封装尺寸和修订历史。资料涵盖了产品的主要参数,如VDS、ID、RDS(on)、开关速度、阻断电压等,并说明了其在功率因数校正模块、开关电源、逆变器等领域的应用。
MACROCORE SEMICONDUCTOR -
Datasheet
- Rev. A1
- 2024-04-19
Part# :HX2M020120K
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本资料详细介绍了SiC MOSFET 的特性、电气特性、热特性、动态特性、反向二极管特性、典型性能、封装尺寸以及修订历史。资料中未提及具体的产品特性,但强调了其高速度切换、低电容、高阻断电压、低导通电阻等优势,适用于功率因数校正模块、DC-AC逆变器、高压DC/DC转换器等应用领域。
MACROCORE SEMICONDUCTOR -
Datasheet
- Rev. A
- 2024-07-22
Part# :HX2M030120K
本资料详细介绍了SiC MOSFET 的特性、电气特性、热特性、动态特性、反向二极管特性、典型性能、封装尺寸以及修订历史。资料涵盖了SiC MOSFET 的主要参数和应用领域,如功率因数校正模块、DC-AC逆变器和高电压DC/DC转换器等。
MACROCORE SEMICONDUCTOR -
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- Preliminary 11
- 2024-06-03
Part# :HX1M160120K1
本资料详细介绍了SiC MOSFET 的特性、电气特性、热特性、动态特性、反向二极管特性、典型性能、封装尺寸和修订历史。资料涵盖了产品的主要性能参数、应用领域和注意事项。
MACROCORE SEMICONDUCTOR -
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- Rev. A1
Part# :HX1M1000170D
本资料详细介绍了SiC MOSFET 的特性、电气特性、热特性、动态特性、开关特性、反向二极管特性以及典型性能。资料中包含了产品的主要参数,如VDS、ID、RDS(on)、VGS等,并提供了产品在不同温度下的性能曲线和开关时间等关键数据。
MACROCORE SEMICONDUCTOR -
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- Rev. A1
Part# :HX1M1000170J
本资料详细介绍了SiC MOSFET 的特性、电气特性、热特性、动态特性、反向二极管特性以及典型性能。资料中包含了产品的最大额定值、符号参数、测试条件、数值和单位。此外,还提供了产品的封装尺寸图和修订历史。
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- Rev. A2
Part# :HX1M080120J
本资料详细介绍了SiC MOSFET 的特性、电气特性、热特性、动态特性、反向二极管特性以及典型性能。资料中包含了产品的主要参数,如VDS、ID、RDS(on)、VGS(th)等,并提供了产品在不同温度下的输出特性、电容特性、功率耗散特性等数据。
MACROCORE SEMICONDUCTOR -
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- Rev. A2
- 2024-08-19
Part# :HX1M060120K
本资料详细介绍了SiC MOSFET 的特性、电气特性、热特性、动态特性、反向二极管特性以及典型性能。资料中包含了产品的主要参数,如VDS、ID、RDS(on)、VGS等,并提供了产品在不同温度下的性能曲线和封装尺寸信息。
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- Preliminary 1/10
- 2024-03-11
Part# :HX1M040120D
本资料详细介绍了SiC MOSFET 的特性、电气特性、热特性、动态特性、开关特性、反向二极管特性、典型性能、封装类型和修订历史。资料涵盖了SiC MOSFET 的主要参数,如阻断电压、导通电阻、开关速度、功耗、热阻等,并提供了典型应用场景和性能曲线。
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- Rev. A
- 2023-06-26
Part# :HX1M040065T
本资料详细介绍了SiC MOSFET 的特性、电气特性、热特性、动态特性、反向二极管特性、典型性能、封装尺寸和修订历史。资料中未提及具体的产品特性,但强调了其高速度切换、高阻断电压、易于并联和驱动等特点,以及其在功率因数校正模块、开关电源、DC-AC逆变器和高电压DC/DC转换器等领域的应用。
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- Rev. A1
- 2024-08-07
Part# :HX1M040065KA
本资料详细介绍了SiC MOSFET 的特性、电气特性、热特性、动态特性、反向二极管特性、典型性能、封装尺寸和修订历史。资料中未提及具体的产品特性,但强调了其高速度切换、高阻断电压、低导通电阻、易于并联和驱动等特点,以及其在功率因数校正模块、开关电源、DC-AC逆变器和高电压DC/DC转换器等领域的应用。
MACROCORE SEMICONDUCTOR -
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- Rev. A1
- 2024-08-07
Part# :HX1M040065K
本资料详细介绍了SiC MOSFET 的特性、电气特性、热特性、动态特性、反向二极管特性、典型性能、封装尺寸和修订历史。资料涵盖了SiC MOSFET 的主要参数和应用领域,如功率因数校正模块、开关电源、DC-AC逆变器等。
MACROCORE SEMICONDUCTOR -
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- Rev. A
- 2024-05-22
Part# :HX1M040065D
本资料详细介绍了SiC MOSFET 的特性、电气特性、热特性、动态特性、反向二极管特性、典型性能、封装尺寸以及修订历史。资料涵盖了产品的主要性能参数、应用领域和关键特性。
MACROCORE SEMICONDUCTOR -
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- Rev. A2
Part# :HX1M025170K
本资料详细介绍了SiC MOSFET 的特性、电气特性、热特性、动态特性、反向二极管特性、典型性能、封装轮廓和修订历史。资料涵盖了SiC MOSFET 的主要参数,如阻断电压、导通电阻、开关速度、功耗等,并提供了在不同工作条件下的详细数据。
MACROCORE SEMICONDUCTOR -
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- Rev. 4.0
- 2024-04-19
Part# :HX1M022120K
本资料详细介绍了SiC MOSFET 的特性、电气特性、热特性、动态特性、开关特性、反向二极管特性、典型性能、封装尺寸以及修订历史。资料中未提及具体的产品特性,但强调了其高速度切换、低电容、高阻断电压、低导通电阻等优势,适用于功率因数校正模块、DC-AC逆变器、高压DC/DC转换器等应用领域。
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Datasheet
- Rev. A
- 2023-09-08
Part# :HX1M017120K
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本报告为SVHC(高度关注物质)测试报告,编号SHAEC2113289404,测试日期为2021年7月5日。报告内容涉及对金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET )样品CM3416进行SVHC筛查,测试结果显示样品中SVHC含量均低于0.1%(重量比),符合相关法规要求。报告详细列出了测试方法、结果、注意事项及附录中的SVHC物质清单。
本报告为SGS出具的一份关于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET )的测试报告,编号SHAEC2113293804,测试日期为2021年7月5日。报告内容包括样品信息、测试项目、测试方法、测试结果和结论。测试结果显示,样品中镉、铅、汞、六价铬、多溴联苯(PBBs)、多溴联苯醚(PBDEs)和邻苯二甲酸酯类物质如DEHP、BBP、DBP和DIBP的含量均符合欧盟RoHS指令2015/863规定的限值。
本报告由上海尹特电子有限公司提交,经广州GRG计量测试无锡有限公司检测,样品为金属氧化物半导体场效应晶体管。检测内容包括RoHS指令(EU)2015/863修正指令2011/65/EU附件II中的铅(Pb)、镉(Cd)、汞(Hg)、六价铬[Cr(VI)]、多溴联苯(PBBs)、多溴联苯醚(PBDEs)、邻苯二甲酸二(2-乙基己基)酯(DEHP)、邻苯二甲酸丁苄酯(BBP)、邻苯二甲酸二丁酯(DBP)、邻苯二甲酸二异辛酯(DIBP)含量,以及卤素含量。检测结果符合RoHS指令和EN 61249-2-21:2003标准。
本文介绍了场效应晶体管(FET)的基本原理、分类、工作原理和应用。主要内容包括FET的两种主要类型:结型场效应晶体管(JFET)和绝缘栅场效应晶体管(MOSFET )。JFET通过控制栅极电压来控制沟道电流,而MOSFET 则通过控制栅极电压和源漏电压来控制沟道电流。文章还讨论了FET的输出特性、工作区域以及在不同应用中的表现。
本资料由Renesas Electronics Corporation发布,主要内容包括公司名称变更通知、产品信息、技术规格、质量等级、应用范围、安全注意事项以及销售办公室信息。资料中详细介绍了2SJ160、2SJ161、2SJ162型号的硅P沟道MOSFET 的特性、电气参数、封装尺寸和订购信息。同时,强调了在使用Renesas Electronics产品时的安全性和合规性要求。
本资料由Renesas Electronics Corporation发布,主要介绍了其产品2SJ76、2SJ77、2SJ78、2SJ79的详细规格和应用信息。内容包括绝对最大额定值、电气特性、主要特性、封装尺寸和订购信息。此外,还强调了使用Renesas产品时的安全注意事项,包括产品分类、应用限制和环境影响等。
本资料由Renesas Electronics Corporation发布,主要内容包括公司名称变更通知、产品信息、技术规格、应用领域、质量等级、安全注意事项、环保法规遵守、版权声明等。资料详细介绍了2SK213、2SK214、2SK215、2SK216型号的硅N通道MOSFET 的特性、电气参数、封装尺寸、订购信息等,并强调了在使用Renesas Electronics产品时的安全性和合规性。
INFINEON -
Technical Documentation
- April 22, 2015
Part# :IRFB7787PBF,IRFSL7787PBF,IRFS7787PBF,IRFS7787TRLPBF,HEXFET®,STRONGIRFET™
Nexperia推出的650V GaN FET器件在性能、效率和可靠性方面表现出色,适用于汽车和物联网基础设施应用。这些器件采用GaN-on-Si技术,具有超低反向恢复损耗、简单易用的栅极驱动和高效的功率转换。Nexperia还提供CCPAK封装,具有紧凑的尺寸和优化的热性能,适用于工业和汽车电子应用。